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产品与应用
PA-100A06A 芯片级烧结银膏可实现低温芯片级互连的银膏，与传统焊料相比，导热率提升5倍，使用寿命延长10倍以上，烧结温度最低可至230℃。该产品采用印刷工艺，适用于功率芯片与基板之间的连接，在应用中确保更高的热导率以及可靠性。
PA-100A01 芯片级烧结银膏可实现低温芯片级互连的银膏，与传统焊料相比，导热率提升5倍，使用寿命延长10倍以上，烧结温度最低可至230℃。该产品采用印刷工艺，适用于功率芯片与基板之间的连接，在应用中确保更高的热导率以及可靠性。
PA-100A02 芯片级烧结银膏可实现低温芯片级互连的银膏，与传统焊料相比，导热率提升5倍，使用寿命延长10倍以上，烧结温度最低可至230℃。该产品采用印刷工艺，适用于功率芯片与基板之间的连接，在应用中确保更高的热导率以及可靠性。
PA-400A05 系统级烧结银膏可实现低温系统级互连的银膏,烧结温度最低可至 200℃,区别于芯片级有压银膏,系统级烧结银膏可以实现大面积(≥2000mm²)的模块封装,散热效率和机械可靠性大幅度优于传统焊料。
PA-400A02A 系统级烧结银膏可实现低温系统级互连的银膏,烧结温度最低可至 200℃,区别于芯片级有压银膏,系统级烧结银膏可以实现大面积(≥2000mm²)的模块封装,散热效率和机械可靠性大幅度优于传统焊料。
PA-300A03-507A 烧结铜电极可实现芯片正面互连的电极薄片,可以兼容 300-400μm线径的铜线超声键合。相较于铝线,铜线具有良好的机械性能、电导率和可靠性，可实现更高的电流密度和更长的服役寿命。该方案可满足SiC模块和IGBT模块封装应用。
PA-300A03-509A 烧结铜电极可实现芯片正面互连的电极薄片,可以兼容 300-400μm线径的铜线超声键合。相较于铝线,铜线具有良好的机械性能、电导率和可靠性，可实现更高的电流密度和更长的服役寿命。该方案可满足SiC模块和IGBT模块封装应用。PA-300A01-50P 烧结铜电极可实现芯片正面互连的电极薄片,可以兼容 300-400μm线径的铜线超声键合。相较于铝线,铜线具有良好的机械性能、电导率和可靠性，可实现更高的电流密度和更长的服役寿命。该方案可满足SiC模块和IGBT模块封装应用。
PF-01A90B 无压烧结银膏全烧结导电银膏，具备优良的工艺可操作性、大面积烧结能力、可靠性等特点。
PF-02A795A3 无压烧结银膏全烧结导电银膏，适用于高密度封装的通讯终端功率放大器（PA）中，具备优异的点胶稳定性、操作时间长等特点，为 GaAs芯片与基板互连提供高性能解决方案。
PF-01A90A 无压烧结银膏高导热无压烧结型导电银膏,热导率达到270W/m⸱K，固化温度200℃,在金、银界面上具有稳定较高的结合力。
PF-01A80 无压烧结银膏高导热无压烧结型导电银膏,热导率达到270W/m⸱K，固化温度200℃,在金、银界面上具有稳定较高的结合力。
PF-02A795A 无压烧结银膏中高导热无压烧结型导电银膏,固化温度200℃,连续作业性出众、工艺窗口宽,具有优良的导热能力和可靠性。
PF-02B800A1 中导热银胶中导热银胶，在空气或 N2 气氛等环境中均可实现高可靠性烧结连接，具备低 RBO、较高热导率、优异界面可靠性等特点，为裸铜、裸硅界面的芯片互连提供无压解决方案。
PF-01B92A 中高导热半烧结银胶中高导热半烧结银胶，在空气或N2气氛等环境中均可实现高可靠性烧结连接，具备低 RBO、高热导率、优异界面可靠性等特点，为裸铜或镀金/银基板与镀铜或镀金/银界面的芯片互连提供无压解决方案。
PF-03B85B1 中低导热银胶中低导热银胶,具具备良好的点胶特性、耐热好等优点。适用于中小功率、高可靠LED产品。
PF-01B91DA1 中高导热半烧结银胶中高导热无压半烧结型导电胶,在金、银界面上具有稳定较高的结合力。特别适用于大功率、大尺寸LED封装。
PF-0189SF6B 无压半烧结银胶中高导热无压半烧结型导电胶,可以实现高应力失配结构的互连及长期服役可靠性。
PF-01B91D 无压烧结银胶中高导热无压半烧结型导电胶,在金、银界面上具有稳定较高的结合力。特别适用于大功率、大尺寸LED封装。 - 技术研发
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