本次竣工的国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目企业总部工程隶属独墅湖科教区，南临启慧路，西接广贤街，总占地面积约2.6万平方米，总建筑面积约9.2万平米，总投资约4.2亿元，共规划建设3栋研发楼与1栋厂房。

消息显示，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地于2022年1月14日开工，首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米，包括国家第三代半导体技术创新中心，以及东微半导体总部和镭明激光总部等部分定建企业，将布局建设符合第三代半导体创新的3万平方米高标准洁净厂房以及配套设施，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地建成后，将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、生产、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50—100家企业，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。

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