据悉，总投资约300亿元的三安意法半导体项目组预计在今年8月完成对重庆厂房的建设并开始投产，达产后，预计每周能够生产1万片8英寸碳化硅MOSFET芯片，这些芯片将主要用于新能源汽车的主驱动逆变器、充电桩和车载充电器等关键部件。应用于车规功率器件中的烧结银材料也将迎来不断增长的客户需求。

　　以 SiC 和 GaN 为代表的宽禁带半导体材料，由于具有化学稳定性好、击穿电压高、电子迁移率高和介电常数小等优点，正在电力电子行业中快速崛起。然而，苛刻的服役条件也对功率芯片封装材料提出了更高的要求，如优异的机械强度、导热导电性能、高熔点、高低温循环下的组织稳定性以及高温蠕变抗性等。

　　银纳米颗粒浆料作为大功率器件封装的热界面材料，在压力辅助或者无压力辅助的条件下烧结，制备互连结构，具有非常优异的力学性能和散热性能。

　　影响纳米银烧结的工艺参数主要包括烧结压力、烧结温度、烧结时间、升温速率和烧结气氛。烧结压力可以为烧结提供驱动力，促进银颗粒间的机械接触、颈生长和银浆料与金属层间的相互扩散反应，有助于消耗有机物排出气体，使互连层孔隙更少，从而形成稳定致密的银烧结接头。但由于现有的设备技术原因，高烧结压力难以实现自动化生产，且过高的烧结压力会造成芯片的损坏，从而导致器件可靠性的下降。对于银颗粒尺寸较小的焊膏，银烧结所需的驱动力较小，因此可以实现低温无压烧结。

　　目前芯源新材料推出的无压烧结银胶主要分为全烧结银膏和半烧结银胶，其区别在于是否含有树脂胶成分：

　　(1)不含树脂胶的全烧结银膏对于界面的要求较高，需要做金属化处理(金/银)。相较传统焊接和粘结材料，在金、银界面上具有稳定的附着力，点胶效果出众、工艺窗口宽，具有优良的导热能力;

　　(2)对于含树脂胶的半烧结银胶应用领域较为宽泛，目前在射频微波、光电领域、手机快充等大功率器件的封装皆有应用案例。相较传统焊接和粘结材料，可形成牢固可靠、散热极佳的粘结层。

本次竣工的国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目企业总部工程隶属独墅湖科教区，南临启慧路，西接广贤街，总占地面积约2.6万平方米，总建筑面积约9.2万平米，总投资约4.2亿元，共规划建设3栋研发楼与1栋厂房。

消息显示，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地于2022年1月14日开工，首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米，包括国家第三代半导体技术创新中心，以及东微半导体总部和镭明激光总部等部分定建企业，将布局建设符合第三代半导体创新的3万平方米高标准洁净厂房以及配套设施，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地建成后，将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、生产、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50—100家企业，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。

我司旗下子公司芯源新材料（苏州）有限公司，内设业务部门以及配套工程实验室，为华东客户提供全方位销售服务和工程制样，积极促进半导体散热封装和电力电子产业发展，欢迎各位客户来询！

本次展会不仅与老客户齐聚展台，交流项目发展、分享创新技术，更与新客户建立良好联系、探讨行业动态。芯源正在以更多元化、更系统化的技术产品和服务解决方案吸引更多客户。

未来，我们将持续加大自主研发的投入和解决方案的创新与改进，向不同的生产行业提供可定制化的一流产品和系统解决方案，同本土上下游厂商协同共进，助力国家半导体产业自主可控发展！